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  • GaN：数据中心与人形机器人的关键功率半导体
    GaN：数据中心与人形机器人的关键功率半导体
    GaN：数据中心与人形机器人的关键功率半导体 随着人工智能、数据中心和人形机器人等新兴应用快速发展，功率电子系统正面临前所未有的效率、体积和可靠性挑战。在这一背景下，氮化镓（GaN）凭借其高频、高效率和高功率密度优势，正在成为低压至中压功率转换领域的核心技术之一。 在摩纳哥举行的博多电力系统宽带隙论
    2026-01-28
  • 歌尔光学在 SiC 光波导领域实现关键突破
    歌尔光学在 SiC 光波导领域实现关键突破
    歌尔光学在 SiC 光波导领域实现关键突破 50° 大视场角与超薄模组推动 AR 显示再进阶
    2026-01-23
  • 第四代功率半导体提速：氧化镓全产业链迈入突破期
    第四代功率半导体提速：氧化镓全产业链迈入突破期
    第四代功率半导体提速：氧化镓全产业链迈入突破期
    2026-01-21
  • 单晶与多晶金刚石衬底：特性、生产工艺差异及市场应用方向分析
    单晶与多晶金刚石衬底：特性、生产工艺差异及市场应用方向分析
    单晶与多晶金刚石衬底：特性、生产工艺差异及市场应用方向分析 金刚石衬底依据晶体结构可分为单晶与多晶两类，二者均凭借超高热导率、极致硬度等共性优势，在半导体、光学、精密加工等领域占据重要地位。但晶体排列方式的本质差异，导致其在材料特性、生产工艺复杂度、性能上限及市场适配场景上形成显著分野。本文通过系统
    2026-01-20
  • 单晶金刚石衬底的材料特性、生产工艺及半导体与光学市场应用分析
    单晶金刚石衬底的材料特性、生产工艺及半导体与光学市场应用分析
    单晶金刚石衬底的材料特性、生产工艺及半导体与光学市场应用分析 单晶金刚石衬底凭借碳原子sp³杂化形成的正四面体共价键结构，具备长程有序的晶格排列，无晶界制约，在力学、热学、光学、电学等领域展现出极致性能。作为“终极半导体材料”，其超高热导率、超宽禁带等特性可突破传统衬底物理极限，在半导体热管理、高频
    2026-01-20
  • 不同晶型碳化硅（4H-N/6H-N/4H-P/6H-P/3C-N/4H-半绝缘）的工艺制程及市场应用区别
    不同晶型碳化硅（4H-N/6H-N/4H-P/6H-P/3C-N/4H-半绝缘）的工艺制程及市场应用区别
    不同晶型碳化硅（4H-N/6H-N/4H-P/6H-P/3C-N/4H-半绝缘）的工艺制程及市场应用区别 碳化硅（SiC）拥有超过200种晶体结构（多型体），其中4H、6H（六方晶系H）和3C（立方晶系C）是应用最广泛的三种晶型。其导电类型（N型、P型、半绝缘型）通过掺杂工艺调控，晶型与导电类型的组
    2026-01-14
  • 不同衬底材料对MOCVD氮化镓外延生长工艺与性能的影响
    不同衬底材料对MOCVD氮化镓外延生长工艺与性能的影响
    不同衬底材料对MOCVD氮化镓外延生长工艺与性能的影响 氮化镓（GaN）作为第三代宽禁带半导体材料，其外延层质量直接决定器件的高频、高压、高功率性能，而衬底材料的晶格常数、热膨胀系数、导热性等本质特性，是影响MOCVD（金属有机化学气相沉积）外延生长工艺设计、外延层缺陷密度及最终器件性能的核心因素。
    2026-01-13
  • 12寸蓝宝石/石英/硅/碳化硅晶圆材料对比及在先进封装中的使用场景对比与说明
    12寸蓝宝石/石英/硅/碳化硅晶圆材料对比及在先进封装中的使用场景对比与说明
    12寸蓝宝石/石英/硅/碳化硅晶圆材料对比及在先进封装中的使用场景对比与说明 在先进封装领域，12寸蓝宝石晶圆、石英晶圆、硅晶圆、碳化硅晶圆因材料性能差异，适配场景各有侧重。以下从材料核心特性、使用场景及注意事项三方面，进行详细对比说明。
    2026-01-13
  • 半绝缘碳化硅衬底：从 500 µm 到 350 µm 的演进
    半绝缘碳化硅衬底：从 500 µm 到 350 µm 的演进
    半绝缘碳化硅衬底：从 500 µm 到 350 µm 的演进 随着宽禁带半导体时代的到来，碳化硅（SiC）凭借其优异的热导率、高击穿电场以及出色的化学稳定性，已成为高功率、高频电子器件中的关键材料。在众多 S
    2026-01-08
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