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  • 突破325GHz毫米波表征技术瓶颈：基于mTRL共面波导的熔融石英晶圆级精准测试方案全解析
    突破325GHz毫米波表征技术瓶颈：基于mTRL共面波导的熔融石英晶圆级精准测试方案全解析
    突破325GHz毫米波表征技术瓶颈：基于mTRL共面波导的熔融石英晶圆级精准测试方案全解析 一、前言 衬底复介电常数的精准表征，是毫米波射频器件研发、仿真建模、性能优化的前置核心环节，测试数据的准确性、场景适配性直接决定芯片设计成功率与产品性能上限。目前行业主流的两类
    2026-07-13
  • 熔融石英成为6G毫米波芯片核心衬底新选择
    熔融石英成为6G毫米波芯片核心衬底新选择
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    2026-07-13
  • 蓝宝石原位构筑MoS₂/石墨烯异质结 ——面向先进芯片铜互连的超薄扩散阻挡层解决方案
    蓝宝石原位构筑MoS₂/石墨烯异质结 ——面向先进芯片铜互连的超薄扩散阻挡层解决方案
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    2026-07-07
  • 蓝宝石衬底直接循环CVD制备分层石墨烯——衬底如何决定二维薄膜生长质量与器件性能
    蓝宝石衬底直接循环CVD制备分层石墨烯——衬底如何决定二维薄膜生长质量与器件性能
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    2026-07-07
  • 晶沐光电赴西安参会:先进功能材料与器件学术研讨会
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    2026 第二届先进功能材料与器件学术研讨会，深化产学研协同创新 近日，2026 第二届先进功能材料与器件学术研讨会于西安圆满举办。本次
    2026-07-03
  • 氧化镓单晶衬底｜DFT理论揭秘磷掺杂导电机理，高端高压功率器件核心基底
    氧化镓单晶衬底｜DFT理论揭秘磷掺杂导电机理，高端高压功率器件核心基底
    氧化镓单晶衬底｜DFT理论揭秘磷掺杂导电机理，高端高压功率器件核心基底 一、产品定位：氧化镓单晶衬底，超宽禁带高端器件核心载体 相较于蓝宝石异质外延路线，我司自主研发EFG导模法β-Ga₂O₃单晶衬底
    2026-06-30
  • 蓝宝石衬底｜MOCVD异质外延β-Ga₂O₃实现稳定p型掺杂
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    蓝宝石衬底｜MOCVD异质外延β-Ga₂O₃实现稳定p型掺杂 一、产品核心优势：自研蓝宝石衬底，构建氧化镓低成本外延体系 β-Ga₂O₃作为新一代超宽带隙半导体材料，凭借4.9 eV超宽带隙、8 MV
    2026-06-30
  • 大尺寸单晶金刚石的市场假象与真实产业化壁垒
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    2026-06-26
  • 从新能源到AI算力，碳化硅迎来全新第二成长曲线
    从新能源到AI算力，碳化硅迎来全新第二成长曲线
    从新能源到AI算力，碳化硅迎来全新第二成长曲线 作为第三代半导体的核心代表材料，碳化硅（SiC）已然成为全球高端半导体产业竞争的战略核心赛道。过去数年，新能源汽车、光伏储能的规模化落地，推动碳化硅完成商业化初步渗透，构筑起行业第一增长曲线。而随着人工智能算力革命全面爆发，数据中心基础设施升级、先进封
    2026-06-25
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