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  • SiC等离子刻蚀工艺终极优化：功率、距离耦合规律与正交实验最优参数
    SiC等离子刻蚀工艺终极优化：功率、距离耦合规律与正交实验最优参数
    SiC等离子刻蚀工艺终极优化：功率、距离耦合规律与正交实验最优参数 前文通过单因素实验，明确了Ar、CF₄、O₂三种工艺气体的独立影响规律，但实际SiC量产加工中，气体流量、加工功率、炬靶加工距离五大参数存在强耦合效应。单因素实验仅能反映单一变量的影响，无法适配复杂的量产工况。 基于此，本文重点拆解
    2026-08-26
  • 刻蚀低效、表面沉积频发？SiC等离子加工Ar/CF₄/O₂气体配比深度解析
    刻蚀低效、表面沉积频发？SiC等离子加工Ar/CF₄/O₂气体配比深度解析
    刻蚀低效、表面沉积频发？SiC等离子加工Ar/CF₄/O₂气体配比深度解析 在SiC大气等离子体加工体系中，工艺气体是等离子体生成、活性粒子产生、化学反应进行的核心载体。Ar、CF₄、O₂三种气体各司其职、相互耦合，其流量配比直接决定等离子射流稳定性、活性F粒子浓度、刻蚀反应速率及晶圆表面成型质量，
    2026-08-26
  • SiC衬底加工痛点：硬且化学惰性，大气等离子体非接触加工带来新解法
    SiC衬底加工痛点：硬且化学惰性，大气等离子体非接触加工带来新解法
    SiC衬底加工痛点：硬且化学惰性，大气等离子体非接触加工带来新解法 一、碳化硅衬底产业化核心价值与加工瓶颈 在第三代半导体产业高速迭代的背景下，碳化硅（SiC）凭借远超硅基、砷化镓材料的物理化学特性，成为高压功率半导体、射频器件、新能源电力电子设备的核心衬底材料。其具备超宽禁带宽度、超高热导率、高击
    2026-08-26
  • 3C-SiC 薄膜异质界面热边界导率 功率器件散热瓶颈解决方案
    3C-SiC 薄膜异质界面热边界导率 功率器件散热瓶颈解决方案
    3C-SiC 薄膜异质界面热边界导率 功率器件散热瓶颈解决方案 一、前言：界面热阻，功
    2026-08-18
  • 3C-SiC 碳化硅热导率突破 500W/(m・K) 功率器件衬底材料优势解析
    3C-SiC 碳化硅热导率突破 500W/(m・K) 功率器件衬底材料优势解析
    3C-SiC 碳化硅热导率突破 500W/(m・K) 功率器件衬底材料优势解析 一、前言：高功率器件散热，行业核心痛点
    2026-08-18
  • SiC衬底粗糙度与亚表面损伤耦合研究——衬底抛光品质精准管控方案
    SiC衬底粗糙度与亚表面损伤耦合研究——衬底抛光品质精准管控方案
    SiC衬底粗糙度与亚表面损伤耦合研究——衬底抛光品质精准管控方案 碳化硅衬底的表面平整度与晶格完整性，是决定高端功率器件性能的核心基材指标。当前800V高压新能源车、AI算力数据中心、高压光伏储能等领域，对SiC器件能效、耐压、稳定性要求持续升级，而衬底表面纳米级粗糙度、抛光残余划痕、亚表面晶格畸变
    2026-08-03
  • 6H-SiC衬底极性润湿特性研究——衬底表面状态快速质控技术解析
    6H-SiC衬底极性润湿特性研究——衬底表面状态快速质控技术解析
    6H-SiC衬底极性润湿特性研究——衬底表面状态快速质控技术解析 作为第三代半导体产业的核心基石，碳化硅（SiC）衬底是新能源汽车高压平台、光伏储能逆变器、AI算力服务器电源等高端器件的核心基材，直接决定终端产品的耐压性能、能效损耗与使用寿命。在SiC功率器件成本结构中，衬底占比高达40%–47%，
    2026-08-03
  • SAB工艺升级：碳化硅大尺寸、低成本、量产级衬底制备核心方案
    SAB工艺升级：碳化硅大尺寸、低成本、量产级衬底制备核心方案
    SAB工艺升级：碳化硅大尺寸、低成本、量产级衬底制备核心方案 经典SAB工艺解决了碳化硅衬底键合的热损伤核心痛点，而随着第三代半导体产业爆发，4英寸、6英寸碳化硅衬底成为市场主流，8英寸衬底逐步导入研发量产。行业基于经典SAB底层逻辑，针对碳化硅衬底量产尺寸、界面性能、制造成本、异质集成四大核心需求
    2026-07-30
  • 碳化硅衬底低温键合的奠基性工艺-改性SAB法
    碳化硅衬底低温键合的奠基性工艺-改性SAB法
    碳化硅衬底低温键合的奠基性工艺-改性SAB法 碳化硅衬底是第三代半导体功率器件、射频器件的核心基材，衬底的平整度、晶格完整性、界面应力、结合稳定性直接决定器件良率与使用寿命。某大学发布的改性SAB（表面活化键合）技术，针对性解决了碳化硅衬底传统键合高温损伤、衬底形变、界面劣化等行业难题，成为高品质S
    2026-07-30
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