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  • 突破325GHz毫米波表征技术瓶颈：基于mTRL共面波导的熔融石英晶圆级精准测试方案全解析
    突破325GHz毫米波表征技术瓶颈：基于mTRL共面波导的熔融石英晶圆级精准测试方案全解析
    突破325GHz毫米波表征技术瓶颈：基于mTRL共面波导的熔融石英晶圆级精准测试方案全解析 一、前言 衬底复介电常数的精准表征，是毫米波射频器件研发、仿真建模、性能优化的前置核心环节，测试数据的准确性、场景适配性直接决定芯片设计成功率与产品性能上限。目前行业主流的两类
    2026-07-13
  • 熔融石英成为6G毫米波芯片核心衬底新选择
    熔融石英成为6G毫米波芯片核心衬底新选择
    熔融石英成为6G毫米波芯片核心衬底新选择 随着6G通信、车载毫米波雷达、短距高速无线互联、太赫兹检测设备产业化进程加速，射频工作频段持续向100~325GHz亚毫米波高频区间延伸。传统半导体衬底材料的高频缺陷持续凸显：硅衬底介电常数偏高、高频介质损耗大、寄生耦合效应严重，极易造成毫米波信号衰减、信噪
    2026-07-13
  • 蓝宝石原位构筑MoS₂/石墨烯异质结 ——面向先进芯片铜互连的超薄扩散阻挡层解决方案
    蓝宝石原位构筑MoS₂/石墨烯异质结 ——面向先进芯片铜互连的超薄扩散阻挡层解决方案
    蓝宝石原位构筑MoS₂/石墨烯异质结 ——面向先进芯片铜互连的超薄扩散阻挡层解决方案 随着半导体芯片制程进入7nm、3nm及以下先进节点，后端铜互连工艺面临严峻的尺寸微缩瓶颈。
    2026-07-07
  • 蓝宝石衬底直接循环CVD制备分层石墨烯——衬底如何决定二维薄膜生长质量与器件性能
    蓝宝石衬底直接循环CVD制备分层石墨烯——衬底如何决定二维薄膜生长质量与器件性能
    蓝宝石衬底直接循环CVD制备分层石墨烯——衬底如何决定二维薄膜生长质量与器件性能 石墨烯主流制备方案为铜箔CVD生长结合湿法转移工艺，该技术成熟但存在天然短板，转移过程极易引入褶皱、孔洞、界面污染等缺陷，严重损耗石墨烯本征优异的电学性能。同时，金属铜基底化学活性较高，无法兼容MoS₂、WS₂等二维材
    2026-07-07
  • 氧化镓单晶衬底｜DFT理论揭秘磷掺杂导电机理，高端高压功率器件核心基底
    氧化镓单晶衬底｜DFT理论揭秘磷掺杂导电机理，高端高压功率器件核心基底
    氧化镓单晶衬底｜DFT理论揭秘磷掺杂导电机理，高端高压功率器件核心基底 一、产品定位：氧化镓单晶衬底，超宽禁带高端器件核心载体 相较于蓝宝石异质外延路线，我司自主研发EFG导模法β-Ga₂O₃单晶衬底
    2026-06-30
  • 蓝宝石衬底｜MOCVD异质外延β-Ga₂O₃实现稳定p型掺杂
    蓝宝石衬底｜MOCVD异质外延β-Ga₂O₃实现稳定p型掺杂
    蓝宝石衬底｜MOCVD异质外延β-Ga₂O₃实现稳定p型掺杂 一、产品核心优势：自研蓝宝石衬底，构建氧化镓低成本外延体系 β-Ga₂O₃作为新一代超宽带隙半导体材料，凭借4.9 eV超宽带隙、8 MV
    2026-06-30
  • 界面能调控机制：基于TSSG技术实现3C-SiC单晶可控生长的核心原理
    界面能调控机制：基于TSSG技术实现3C-SiC单晶可控生长的核心原理
    界面能调控机制：基于TSSG技术实现3C-SiC单晶可控生长的核心原理 多晶型竞争问题长期以来一直制约着高质量3C-SiC单晶的稳定生长。传统物理气相传输法（PVT）仅存在气固界面，界面性质固定，无法有效抑制4H-SiC的优势生长。相比之下，顶部籽晶熔盐法（TSSG）具备可调控的液固界面特性，能够从
    2026-06-23
  • 突破4英寸大尺寸制备！TSSG技术实现高质量3C-SiC单晶稳定生长
    突破4英寸大尺寸制备！TSSG技术实现高质量3C-SiC单晶稳定生长
    突破4英寸大尺寸制备！TSSG技术实现高质量3C-SiC单晶稳定生长 碳化硅（SiC）作为第三代半导体核心材料，凭借优异的耐高温、高压、高频特性，广泛应用于新能源、功率器件、航空航天等领域。相较于4H-SiC、6H-SiC等常见晶型，3C-SiC具备更高的电子迁移率、更低的缺陷密度与更优异的电学导通
    2026-06-23
  • 熔融石英光学材料的应用与总结
    熔融石英光学材料的应用与总结
    熔融石英光学材料的应用与总结 熔融石英的工业化光学应用最早可追溯至1952年，彼时其首次被用于超声延迟线器件。凭借优异的光学透过性能、结构稳定性、抗激光损伤能力以及可规模化制备的工艺优势，熔融石英现已广泛应用于各类民用光学与高端科研领域，涵盖光学窗口、反射镜、透镜、光纤等核心元器件。熔融石英的典型高
    2026-06-16
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